一种单晶硅薄膜，其可在聚酰亚胺、玻璃等衬底的表面制作而成，从而能在刚性或柔性的衬底上制作出该单晶硅薄膜，实现单晶硅薄膜的迁移率大于1000cm2/v·s的技术效果。本领域技术人员能够理解的是，前面针对制作单晶硅薄膜的方法所描述的特征和优点，仍适用于该单晶硅薄膜，在此不再赘述。
对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
背面tco薄膜22自下而上包括位于外层的背面膜层223、位于中间的背面第二膜层222以及位于内层的背面第三膜层221，各膜层的光透过率与导电性不同，背面膜层223为光透过率高膜层，由in2o3/sno2质量比为99:10的靶材制成，背面第二膜层222为光透过率与导电性能兼顾膜层，由in2o3/wo3质量比为99:1的靶材制成，背面第三膜层221为导电性能好膜层，由in2o3/sno2质量比为99:1的靶材制成。
通入的工艺气体为氢气和氩气的混合气体，氢气和氩气的体积比为3:100；工艺腔压力为1pa，电池片到靶材的直线距离为50mm，链式pvd设备中传送带的传输速度为120mm/min，工艺结束后生长形成的正面tco薄膜21和背面tco薄膜22的厚度均为100nm。
