现有显示产品的分辨率要求越来越高，对于半导体器件就需要更高的迁移率，尤其是电流驱动器件的迁移率提升，无论是有机发光二极管(oled)还是微发光二极管(microled)，都是迁移率越高越好。另一个技术需求场景是，现有的屏幕驱动都是单独驱动的，无论是独立的集成电路(ic)还是直接放在显示面板(panel)的内部，都会占用显示空间和体积，一个主流方向是将驱动程序集成到panel内部，因此需要低功耗的半导体器件，也就要求足够高的迁移率，尤其是能达到现有硅基的半导体器件。
目前的薄膜半导体材料主要有，硅(si)、氧化物(oxide)和其他新型材料。其中，oxide半导体材料的迁移率一般在几十以内，勉强可以对应低分辨率电流型器件的需求，而si材料主要是非晶硅和低温多晶硅。现阶段的低温多晶硅的迁移率小于1，而无法应用于电流型器件，仅能应用在小尺寸的电流型器件，例如oled或者microled，当分辨率进一步提升或者尺寸增大时，也难以对应。为此非常有必要继续开发高迁移率薄膜技术。只有单晶硅才希望将迁移率提升到几百到上千的水平，但是大部分是体材料的单晶硅，而薄膜晶体管(tft)器件所需的是薄膜材料，目前还没有一种能对应玻璃基的薄膜材料。
将预先离子注入的一个硅片与另一个预先热氧化后的硅片进行键合，键合后再对两个硅片进行退火处理，由于注入的离子结合后会形成气体，可使离子注入层与硅片剥离开，从而可在玻璃、聚酰亚胺等材料的衬底上形成单晶硅薄膜。
